经过学院认真考核，拟聘用谢拾玉博士为我院教师。根据学校规定，现将其基本情况进行公示，公示期为2014年1月17日-23日。如有异议，请联系物流工程学院行政办公室：027-86551180。
物流工程学院
2014年1月17日
附：谢拾玉博士基本情况
一、教育背景：
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2008/8-2012/04 |
谢菲尔德大学 (英国) 电子与电气工程学院 博士研究生(公派留学) 研究方向：高速、高灵敏度光电探测器 (英国III-V族国家实验研究中心) 博士论文：高速InGaAs光探测器、InGaAs/InAlAs雪崩击穿二极管与新型InGaAs/AlAsSb雪崩击穿二极管的设计、制作与测试 (6 IEEE杂志+11会议论文) |
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2007/9-2008/7 |
华中科技大学 (中国) 微电子学与固体电子学 硕士在读一年(免试) 研究方向：化学浴合成ZnSe薄膜工艺 (国家教育部敏感陶瓷中心) |
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2003/7-2007/6 |
华中科技大学 (中国) 电子科学与技术系 学士 (Top 10%/345) 主修课程: 数字/模拟电路，电路理论，超大规模集成电路，信号处理，VHDL，射频信号与光通信系统，电子材料物理和电子系统封装，微/光电子器件与IC设计。 |
二、工作经历：
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2012/05-至今 |
光电子器件预研部门武汉研究所华为技术有限公司 光器件研发工程师研究方向：从事下一代接入网光组件研究，接收侧项目组组长，研究以硅光为基础小尺寸、高密、高灵敏度新型接收机。 |
三、发表论文：
1. S. Xie, A. R. J. Marshall and C. H. Tan, ”Impedance matched 50ohms InGaAs/InAlAs APDs”, in preparation for submission to IEEE J. Lightwave Tech.
2. C. Sandall, J.S.Ng, S.Xie, P.J.Ker, C.H.Tan,“Temperature dependence of impact ionization in InAs”, Optical express, pp8630-8637,2013
3. S. Xie and C. H Tan, “AlAsSb avalanche photodiodes with a sub-mV/K temperature coefficient of breakdown voltage”, IEEE J. of Quantum Electron., vol. 47, no. 1, pp.1391-1395, 2011.
4. C. Sandall, S. Xie, J. Xie and C. H. Tan, “High temperature and wavelength dependence of avalanche gain of AlAsSb”, Optics Letters, vol. 36, Issue 21, pp. 4287-4289, 2011
5. C. H. Tan, S. Xie and J. Xie, “Low noise avalanche photodiodes incorporating a 40nm AlAsSb avalanche region”, IEEE J. of Quantum Electron., vol. 48, no. 1, pp.36–41, 2012
6. J. Xie, S. Xie, R. Tozer and C. H. Tan, “Excess Noise Characteristics of Thin AlAsSb APDs”, IEEE Trans. Electron Devices, Issue 99, pp. 3-5, March, 2012
7. S. Xie, A. S. Idris, X. Zhou and C. H. Tan, “AlAs0.56 Sb0.44 avalanche photodiode with an extremely small temperature coefficient of breakdown voltage”, 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC), 2011.
8. S. Xie, J. Xie, X. Zhou, P. J. Ker and C. H. Tan, “AlAs0.56Sb0.44 avalanche photodiode with weak temperature dependence”, 25th Meeting of the Semiconductor and Integrated Optoelectronics (SIOE), 2011
9. C. H. Tan, S. Xie and J. Xie, “Thin AlAsSb avalanche regions with sub-mV/K temperature coefficients of breakdown voltage and very low excess noise factors”, IEEE Photonics conference (PHO), 2011
10. I. C. Sandal, P. J. Kerr, S. Xie, J. Xie and C. H. Tan, “Avalanche gain characteristics in AlAsSb”, 25th Meeting of the Semiconductor and Integrated Optoelectronics (SIOE), 2011
11. X. Zhou, S. Xie and C. H. Tan, “APD designs for gain-bandwidth product above 200GHz”, UK compound semiconductors conference, July 2011
12. I. C. Sandal, P. J. Kerr, S. Xie, J. Xie, A. S. Idris and C.H. Tan, “Temperature dependent multiplication in AlAsSb”, UK semiconductors conference, 2011.
13. C. H. Tan, L. J. J. Tan and S. Xie, “Extremely thin AlAsSb avalanche regions for a new generation of high speed avalanche photodiodes”, 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ICSC), Berlin, 2011.
14. A. R. J. Marshall, P. Vines, S. Xie, J.P.R. David and C. H. Tan, “High gain InAs electron avalanche photodiodes for optical communication ”, 22nd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM), 2010.
15. A.R.J. Marshall, A. Krysa, A.S. Idris, S. Xie, J.P.R. David and C.H. Tan, “High gain InAs avalanche photodiodes”, EMRS DTC 6th Annual Conf. Proc., B9, July 2009.
16. C. H. Tan, J. S. Ng, S. Xie and J. P. R. David, “Potential materials for avalanche photodiodes operating above 10Gb/s”, International conference on computers and devices for communication (CODEC), 2009
四、获奖情况
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2008/8-2011/12 |
中国留学基金委 “高水平项目” 博士生奖学金 & 英国谢菲尔德大学奖学金 |
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2007/9-2008/7 |
华中科技大学优秀硕士研究生奖学金 |
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2006/9-2007/6 |
华中科技大学2007级优秀毕业生 |
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2006/9-2007/6 |
湖北省优秀学士毕业论文 |
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2004/9-2006/6 |
华中科技大学三好学生 |